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長江存儲啟動:世界各大芯片巨頭落后

2022-12-05 15:43:35   作者:   來源:快科技   評論:0  點擊:


  近日,長江存儲發(fā)布基于晶棧3.0(Xtacking 3.0)架構(gòu)的第四代3D TLC NAND閃存芯片,名為X3-9070。相比上一代產(chǎn)品,X3-9070擁有更高的存儲密度、更快的I/O速度。

  據(jù)Tech Insights報道,長江存儲的X3-9070已經(jīng)量產(chǎn)了,除了用于致態(tài)TiPlus7100系列SSD,還被用在海康威視的CC700 2TB SSD上,這是首個進(jìn)入零售市場的200+層3D NAND閃存解決方案,領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商。

  據(jù)長江存儲介紹,X3-9070的I/O傳輸速率達(dá)到了2400 MT/s,符合ONFI 5.0規(guī)范,相比上一代產(chǎn)品提高了50%的性能;得益于晶棧3.0架構(gòu),X3-9070成為了長江存儲有史以來存儲密度最高的閃存顆粒,能夠在更小的單顆芯片中實現(xiàn)1Tb(128GB)的存儲容量;采用6-plane設(shè)計,相比一般的4-plane性能提升50%以上,同時功耗降低25%,能效比提高了,成本也更低了。

  作為存儲大廠,今年美光、SK海力士和三星先后推出了200+層的3D NAND閃存解決方案。其中最早的是美光,在5月就宣布推出業(yè)界首款232層的3D TLC NAND閃存,稱準(zhǔn)備在2022年末開始生產(chǎn),其采用了CuA架構(gòu),使用NAND的字符串堆疊技術(shù),初始容量為1Tb(128GB)。

  到了8月,SK海力士宣布已成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存,并已經(jīng)向合作伙伴發(fā)送238層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品。

  三星在上個月宣布,已開始批量生產(chǎn)采用第8代V-NAND技術(shù)的產(chǎn)品,為1Tb(128GB)TLC 3D NAND閃存芯片,達(dá)到了236層。

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